Nederlands
Menu

Etsen

Welk gas wordt over het algemeen gebruikt voor het droog etsen van GaN?

  1. AChloorhoudende gassen (Cl2, BCl3 e.d.)
  2. BAlleen zuurstof
  3. CWaterdamp
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Chloorhoudende gassen (Cl2, BCl3 e.d.)

GaN is door sterke bindingen chemisch stabiel en wordt door nat etsen nauwelijks aangetast, maar met plasma van chloorhoudende gassen kan het in vluchtig GaCl3 worden omgezet en verwijderd. BCl3 helpt ook bij het verwijderen van oxide op het oppervlak. In apparatuur met plasma van hoge dichtheid zoals ICP worden mesastructuren van leds en lasers en de gate-uitsparingen (recess) van HEMT's bewerkt, waarbij ook bewerking met lage ionenenergie wordt toegepast om prestatieverlies door schade te voorkomen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke reden waarom het moeilijk is Cu-bedrading rechtstreeks met droog etsen te bewerken is juist?
  2. Hoe heet het verschijnsel dat bij het etsen van een gate de zijkant van het patroon nabij de grens met de onderliggende isolatiefilm zijwaarts wordt uitgehold?
  3. Waarom worden na droog etsen reactieproducten (polymeer) die op bijvoorbeeld de zijwanden van het patroon zijn achtergebleven verwijderd?
  4. Wat is nodig om een oxidefilm te etsen en te laten stoppen bij de nitridefilm eronder?
  5. Welke uitspraak over de rol van etsen in de halfgeleiderproductie is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp