Nederlands
Menu

Etsen

Wat is nodig om een oxidefilm te etsen en te laten stoppen bij de nitridefilm eronder?

  1. AEen lage selectiviteit
  2. BIsotroop etsen
  3. CEen hoge etsselectiviteit van oxide ten opzichte van nitride
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een hoge etsselectiviteit van oxide ten opzichte van nitride

Om bij de nitridefilm te stoppen zijn condities nodig waarbij oxide snel wordt geëtst en nitride vrijwel niet. Met fluorkoolstofgassen met een hoog koolstofaandeel zoals C4F6 en C4F8 hoopt zich op nitride polymeer op dat de reactie stopt, terwijl op oxide zuurstof het polymeer verbruikt en het etsen voortgaat, zodat een selectiviteit van enkele tientallen of meer ten opzichte van nitride wordt verkregen. Dit is belangrijk bij onder meer de vorming van zelfuitgelijnde contacten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke uitspraak over de rol van etsen in de halfgeleiderproductie is juist?
  2. Welke uitspraak over het bij droog etsen gebruikte 'plasma' is juist?
  3. Hoe dik is de film die wordt weggeëtst als 3 minuten wordt geëtst bij een etssnelheid van 100 nm/min?
  4. Hoe verandert de etssnelheid bij nat etsen in het algemeen wanneer de temperatuur van de chemische oplossing wordt verhoogd?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat in bijvoorbeeld capacitief gekoppelde plasmaapparatuur de elektrode aan de waferzijde vanzelf een negatieve gelijkspanningspotentiaal krijgt en ionen naar de wafer versnelt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp