Etsen

Welk voordeel van gepulst plasma, waarbij tijdens het etsen het hoogfrequente plasmavermogen aan en uit wordt geschakeld, is juist?

  1. AEtsapparatuur is niet meer nodig
  2. BDe wafer blijft verhit
  3. CElektronentemperatuur en ionenenergie zijn gemakkelijker te regelen en charge-up en schade zijn gemakkelijker te onderdrukken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Elektronentemperatuur en ionenenergie zijn gemakkelijker te regelen en charge-up en schade zijn gemakkelijker te onderdrukken

Bij gepulst plasma daalt de elektronentemperatuur tijdens de enkele tientallen µs dat het vermogen uit staat plotseling en ontstaan ook negatieve ionen, waardoor de lading op het waferoppervlak gemakkelijker wordt geneutraliseerd. Via de verhouding tussen aan- en uit-tijd (duty cycle) en de frequentie zijn ook de energie van de ionen en de verhouding tussen soorten radicalen gemakkelijker bij te stellen, en gepulst plasma wordt in geavanceerde bewerkingen gebruikt om vormafwijkingen door notching en elektronenschaduwing en schade aan de gate-isolator te onderdrukken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welk gas wordt over het algemeen gebruikt voor het droog etsen van GaN?
  2. Welke reden waarom het moeilijk is Cu-bedrading rechtstreeks met droog etsen te bewerken is juist?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat bij het etsen van een gate de zijkant van het patroon nabij de grens met de onderliggende isolatiefilm zijwaarts wordt uitgehold?
  4. Waarom worden na droog etsen reactieproducten (polymeer) die op bijvoorbeeld de zijwanden van het patroon zijn achtergebleven verwijderd?
  5. Wat is nodig om een oxidefilm te etsen en te laten stoppen bij de nitridefilm eronder?

Vergelijkingen bij dit onderwerp