Etsen
Welk voordeel van gepulst plasma, waarbij tijdens het etsen het hoogfrequente plasmavermogen aan en uit wordt geschakeld, is juist?
- AEtsapparatuur is niet meer nodig
- BDe wafer blijft verhit
- CElektronentemperatuur en ionenenergie zijn gemakkelijker te regelen en charge-up en schade zijn gemakkelijker te onderdrukken
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Elektronentemperatuur en ionenenergie zijn gemakkelijker te regelen en charge-up en schade zijn gemakkelijker te onderdrukken
Bij gepulst plasma daalt de elektronentemperatuur tijdens de enkele tientallen µs dat het vermogen uit staat plotseling en ontstaan ook negatieve ionen, waardoor de lading op het waferoppervlak gemakkelijker wordt geneutraliseerd. Via de verhouding tussen aan- en uit-tijd (duty cycle) en de frequentie zijn ook de energie van de ionen en de verhouding tussen soorten radicalen gemakkelijker bij te stellen, en gepulst plasma wordt in geavanceerde bewerkingen gebruikt om vormafwijkingen door notching en elektronenschaduwing en schade aan de gate-isolator te onderdrukken.