Etsen

Hoe heet het verschijnsel dat bij het etsen van een gate de zijkant van het patroon nabij de grens met de onderliggende isolatiefilm zijwaarts wordt uitgehold?

  1. ABowing
  2. BNotching
  3. CDishing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Notching

Notching is het verschijnsel dat nadat het etsen de onderliggende isolatiefilm heeft bereikt, positieve lading van ionen zich op het oppervlak van de isolatiefilm ophoopt, de baan van latere ionen zijwaarts wordt afgebogen en de voet van het patroon zijwaarts wordt uitgehold. Het treedt vooral gemakkelijk op aan de rand van een patroon, waardoor de gatelengte lokaal verandert en de transistoreigenschappen gaan spreiden. Men pakt het aan door de opladen te onderdrukken met gepulst plasma of een bias met lage frequentie en door de condities van het overetsen aan te passen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Waarom worden na droog etsen reactieproducten (polymeer) die op bijvoorbeeld de zijwanden van het patroon zijn achtergebleven verwijderd?
  2. Wat is nodig om een oxidefilm te etsen en te laten stoppen bij de nitridefilm eronder?
  3. Welke uitspraak over de rol van etsen in de halfgeleiderproductie is juist?
  4. Welke uitspraak over het bij droog etsen gebruikte 'plasma' is juist?
  5. Hoe dik is de film die wordt weggeëtst als 3 minuten wordt geëtst bij een etssnelheid van 100 nm/min?

Vergelijkingen bij dit onderwerp