CMP und Reinigung

Was ist der Hauptzweck, im CMP-Polierkopf den Anpressdruck auf den Wafer in mehreren konzentrischen Zonen getrennt einstellbar zu machen?

  1. ADen Abtrag zwischen Mitte und Rand des Wafers u. Ä. anzupassen und die Schichtdicke über den Wafer zu vereinheitlichen
  2. BSlurry zu sparen
  3. CDen Wafer schneller rotieren zu lassen
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Antwort: A. Den Abtrag zwischen Mitte und Rand des Wafers u. Ä. anzupassen und die Schichtdicke über den Wafer zu vereinheitlichen

Da die Abtragsrate näherungsweise proportional zum Anpressdruck ist (Preston-Gleichung), lässt sich der Abtrag je Waferbereich einstellen, indem die Gummimembran im Kopf in mehrere konzentrische Zonen (etwa 5 bis 10) unterteilt und der Luftdruck jeder Zone verändert wird. Durch Feedforward der gemessenen Schichtdickenverteilung des vorherigen Prozesses oder Echtzeitanpassung anhand von Schichtdickenmessungen während des Polierens wird die Schichtdicke nach dem Polieren innerhalb weniger nm vereinheitlicht.

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