Was muss bei der Reinigung nach dem CMP besonders entfernt werden?

Antwort: B. Auf der Waferoberfläche verbliebene Schleifpartikel des Slurrys und metallische Verunreinigungen

Auf der Waferoberfläche bleiben nach dem CMP Schleifpartikel des Slurrys (teils mehr als einige Millionen pro Wafer), Polierabrieb, Metallionen wie Kupfer und organische Stoffe des Korrosionsinhibitors zurück. Sie verursachen Kurzschlüsse, Korrosion und Defekte der Verdrahtung; daher werden sie durch Scrub-Reinigung mit PVA-Bürsten (Polyvinylalkohol) oder chemische Reinigung mit verdünnter Flusssäure oder organischen Säuren entfernt und anschließend per Schleudertrocknung getrocknet. CMP und Reinigung erfolgen in einer integrierten Anlage.