CMP und Reinigung

Welche Aussage zum beim CMP auftretenden „Dishing“ ist richtig?

  1. ADas Polierpad verschleißt und wird eben
  2. BPartikel des Slurrys bleiben am Wafer haften
  3. CDie Mitte breiter Leiterbahnbereiche wird stärker als die Umgebung abgetragen und schüsselförmig vertieft
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Antwort: C. Die Mitte breiter Leiterbahnbereiche wird stärker als die Umgebung abgetragen und schüsselförmig vertieft

Dishing bezeichnet bei breiten Metallleiterbahnen oder Pads das Phänomen, dass der mittlere Teil des weichen Metalls stärker als die umgebende Isolierschicht abgetragen wird und sich wie eine Schüssel (dish) vertieft; je breiter die Struktur, desto stärker. Die Leiterbahn wird dünner und ihr Widerstand steigt, oder es bleiben Unebenheiten für die darüberliegende Lage. Wird dagegen die Isolierschicht eines ganzen Bereichs dicht gepackter Leiterbahnen zu stark mit abgetragen, spricht man von Erosion. Gegenmaßnahmen im Entwurf sind eine Obergrenze für die Leiterbahnbreite und das Unterteilen breiter Leiterbahnen durch Schlitze.

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