첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

FinFET과 비교했을 때 나노시트형 GAA 트랜지스터의 설계상 장점으로 올바른 것은?

  1. A핀의 개수로만 채널 폭을 바꿀 수 있다
  2. B나노시트의 폭을 바꿈으로써 구동 전류를 더 유연하게 조정할 수 있다
  3. C게이트 길이가 트랜지스터 특성에 영향을 주지 않는다
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정답: B. 나노시트의 폭을 바꿈으로써 구동 전류를 더 유연하게 조정할 수 있다

FinFET에서는 채널 폭을 핀의 개수로만 조정할 수 있지만, 나노시트형 GAA에서는 쌓은 시트의 폭(예를 들어 15~50 nm)을 레이아웃에서 연속적으로 바꿀 수 있습니다. 고성능 셀에는 시트를 넓게, 저소비전력이나 SRAM에는 좁게 하는 등 구동 전류와 용량을 유연하게 설계할 수 있습니다. 게다가 전체 둘레 게이트로 단채널 효과에도 강해 같은 면적에서 FinFET보다 큰 전류를 얻을 수 있습니다.

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