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SRAM et mémoire flash

Quelle est l'unité de base de lecture et d'écriture (programmation) des données dans une mémoire flash NAND ?

  1. ALe bloc
  2. BLa page
  3. CLa puce entière
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Réponse : B. La page

En NAND, la lecture et l'écriture se font par page (quelques KB à une dizaine de KB, environ 16 KB récemment), et l'effacement par bloc de plusieurs centaines de pages. Une page correspond aux cellules d'une ligne de mot ; dans les cellules multiniveaux, plusieurs pages sont attribuées à une même ligne de mot (3 pages pour la TLC). La différence entre les unités d'écriture et d'effacement est la raison fondamentale de la nécessité d'une gestion comme le ramasse-miettes.

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