Cellule mémoire de DRAM qui stocke 1 bit avec un transistor et un condensateur. La présence ou l'absence de charge dans le condensateur représente 0 ou 1.
Nom japonais: 1T1Cセル
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Domaine: DRAM
Réponse : B. Cellule petite et faible coût par bit, mais rafraîchissement nécessaire
La DRAM, avec sa petite cellule 1T1C (environ 6F²), atteint une densité environ 20 fois supérieure à la SRAM 6T (environ 120 à 150F²), d'où un coût par bit plus faible. En revanche, elle exige un rafraîchissement et l'accès, avec l'activation de rangée notamment, prend plusieurs dizaines de ns, plus lent que la SRAM (environ 1 ns). On utilise donc la DRAM comme mémoire principale et la SRAM comme cache du processeur, formant une hiérarchie mémoire qui combine leurs atouts.
La DRAM, avec sa petite cellule 1T1C (environ 6F²), atteint une densité environ 20 fois supérieure à la SRAM 6T (environ 120 à 150F²), d'où un coût par bit plus faible.
Quelle caractéristique de la DRAM par rapport à la SRAM est…Rafraîchissement (refresh) Amplificateur de lecture (sense amplifier) Banc (bank) DDR SDRAM DIMM ECC (code correcteur d'erreurs) Latence CAS Ligne de bit Ligne de mot (word line) LPDDR