DRAM
Quelle est la principale raison d'utiliser une tension élevée (VPP), supérieure à la tension d'alimentation, pour piloter les lignes de mot DRAM ?
- ASupprimer le rafraîchissement
- BÉviter la chute de tension égale à la tension de seuil du transistor de cellule et écrire le condensateur avec une tension suffisante
- CAbaisser la tension des lignes de bit
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Réponse : B. Éviter la chute de tension égale à la tension de seuil du transistor de cellule et écrire le condensateur avec une tension suffisante
Le transistor de cellule étant un nMOS, si sa grille reste à la tension d'alimentation, seule une tension inférieure de Vth peut être écrite dans le condensateur. En pilotant la ligne de mot à VPP, supérieure à l'alimentation d'au moins Vth (par exemple environ 2,5 à 3 V), on écrit une tension « 1 » complète dans le condensateur et l'on garantit la marge de lecture. VPP est produite par une pompe de charge interne, et l'oxyde de grille est dimensionné pour supporter cette tension.