Phénomène où l'activation répétée d'une même ligne de DRAM en peu de temps fait perdre leur charge aux cellules des lignes voisines et inverse des bits. Exploitable pour des attaques, il fait l'objet de contre-mesures côté DRAM et contrôleur mémoire.
Nom japonais: ロウハンマー
« Rowhammer » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Sécurité matérielle, DRAM.
Domaine: DRAM
Réponse : B. Rafraîchir précocement les lignes voisines d'une ligne activée de nombreuses fois (TRR, etc.), augmenter la fréquence de rafraîchissement
Le Rowhammer est le phénomène par lequel l'activation répétée d'une ligne en peu de temps fait fuir, par interférence électrique, la charge des cellules des lignes voisines et inverse des bits. Il risque d'être exploité par un programme sans privilèges pour modifier les données d'autres processus ou du noyau. Les contre-mesures combinent des mécanismes de rafraîchissement supplémentaire des voisines des lignes très activées, l'augmentation de la fréquence de rafraîchissement et la détection et correction des inversions par ECC.
Le Rowhammer est le phénomène par lequel l'activation répétée d'une ligne en peu de temps fait fuir, par interférence électrique, la charge des cellules des lignes voisines et inverse des bits.
Lequel des éléments suivants est une contre-mesure au Rowha…Le rowhammer est le phénomène par lequel l'activation d'une même rangée des dizaines de milliers de fois en peu de temps fait perdre leur charge aux cellules des rangées voisines, par les fluctuations de tension de la ligne de mot et le déplacement de charges, et inverse les données.
Dans une DRAM, comment appelle-t-on le phénomène par lequel…Rafraîchissement (refresh) ECC (code correcteur d'erreurs) Ligne de mot (word line) Amplificateur de lecture (sense amplifier) Banc (bank) Cellule 1T1C DDR SDRAM DIMM Latence CAS Ligne de bit