Opération qui charge les lignes de bit à un potentiel déterminé (par exemple la moitié de la tension d'alimentation en DRAM) avant la lecture mémoire. En DRAM, désigne aussi la fermeture de la ligne ouverte en vue d'activer la suivante.
Nom japonais: プリチャージ
« Précharge » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont DRAM, SRAM et mémoire flash, Hiérarchie mémoire.
Domaine: DRAM
Réponse : C. Parce que les données de la rangée activée sont conservées dans les amplificateurs de lecture et qu'il suffit de changer de colonne pour les lire
L'activation d'une rangée amène les données de toutes ses cellules dans les amplificateurs de lecture, et la page reste ouverte. Pour la même rangée, il suffit de changer l'adresse de colonne, sans réactivation (temps correspondant à la latence CAS), ce qui est plus rapide que de passer à une autre rangée (précharge + activation + accès colonne). Le contrôleur mémoire réordonne les accès, par exemple en regroupant les requêtes vers une même rangée, pour augmenter ces succès de page.
Réponse : B. Superposer les opérations de banques différentes pour améliorer les performances d'accès effectives
L'activation et la précharge d'une rangée prennent une dizaine de ns. Avec plusieurs banques, on peut accéder à une banque pendant qu'une autre effectue ces opérations, ce qui masque l'attente et améliore l'efficacité du transfert. La DDR4 compte 16 banques (4 groupes de banques) et la DDR5 32 banques. Plusieurs banques pouvant garder ouvertes des rangées différentes, les occasions de succès de page augmentent également.
Pour la même rangée, il suffit de changer l'adresse de colonne, sans réactivation (temps correspondant à la latence CAS), ce qui est plus rapide que de passer à une autre rangée (précharge + activation + accès colonne).
Pourquoi le temps d'accès d'une DRAM diminue-t-il lors d'ac…L'activation et la précharge d'une rangée prennent une dizaine de ns.
Quel est le principal objectif de la division interne d'une…Avant d'accéder à une autre rangée, la précharge ferme la rangée courante et ramène les lignes de bit au potentiel intermédiaire (VDD/2).
Lors d'un accès DRAM, comment appelle-t-on l'opération qui …Pour une lecture SRAM, on précharge d'abord la paire de lignes de bit à la tension d'alimentation ; lorsque la ligne de mot sélectionne la cellule, la ligne de bit du côté qui conserve un 0 se décharge légèrement à travers le transistor d'accès.
Comment appelle-t-on, lors d'une lecture SRAM, l'opération …En règle générale, on précharge un nombre d’itérations en avance égal à la pénalité de défaut divisée par la durée d’une itération.
Lors de l’insertion d’instructions de préchargement logicie…Ligne de bit Amplificateur de lecture (sense amplifier) Latence CAS Ligne de mot (word line) Préchargement (prefetch) Pénalité de défaut (miss penalty) Banc (bank) Cellule 1T1C DDR SDRAM DIMM