Circuit qui amplifie la faible différence de tension lue sur une cellule mémoire et détermine s'il s'agit d'un 0 ou d'un 1.
Nom japonais: センスアンプ
« Amplificateur de lecture (sense amplifier) » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont DRAM, SRAM et mémoire flash.
Domaine: DRAM
Réponse : B. La lecture modifiant la charge de la cellule, celle-ci est réécrite après amplification par l'amplificateur de lecture
Lorsque le condensateur de la cellule est relié à la ligne de bit, la charge se partage avec la grande capacité parasite de la ligne de bit et l'état initial est détruit (lecture destructive). L'amplificateur de lecture amplifie donc l'écart de quelques dizaines à une centaine de mV pour déterminer 0/1 et, simultanément, réécrit la cellule avec la tension amplifiée. Cette réécriture équivalant en pratique à un rafraîchissement, celui-ci s'effectue par l'activation puis la fermeture d'une rangée.
Réponse : C. Parce que la capacité du condensateur de cellule est bien plus petite que la capacité parasite de la ligne de bit
À la lecture, la charge de la cellule se partage avec la ligne de bit. La capacité de cellule Cs (environ 10 fF) étant inférieure à celle de la ligne de bit Cb (plusieurs fois à environ 10 fois plus), la variation de tension vaut environ (VDD/2)·Cs/(Cs + Cb), soit quelques dizaines à une centaine de mV seulement. Pour garantir ce rapport (rapport de transfert), on limite le nombre de cellules par ligne de bit afin de réduire Cb. L'amplificateur de lecture amplifie d'un coup cette faible différence par rétroaction positive pour déterminer 0/1.
L'amplificateur de lecture amplifie donc l'écart de quelques dizaines à une centaine de mV pour déterminer 0/1 et, simultanément, réécrit la cellule avec la tension amplifiée.
Quelle caractéristique de l'opération de lecture d'une DRAM…L'amplificateur de lecture amplifie d'un coup cette faible différence par rétroaction positive pour déterminer 0/1.
Lors de la lecture d'une DRAM, pourquoi la variation de ten…Partir du potentiel intermédiaire fait varier la tension de ligne de bit d'une même amplitude vers le haut ou vers le bas, que la cellule contienne 0 ou 1, ce qui facilite la décision de l'amplificateur de lecture.
Lors d'un accès DRAM, comment appelle-t-on l'opération qui …Dans l'organisation à lignes de bit repliées, les deux lignes de bit reliées à un amplificateur de lecture sont placées côte à côte dans la même matrice : le bruit s'applique de la même façon aux deux et s'annule facilement en mode différentiel.
Parmi les organisations de lignes de bit d'une matrice DRAM…Sans attendre l'excursion complète, l'amplificateur de lecture amplifie dès qu'un écart de quelques dizaines à une centaine de mV apparaît, ce qui permet une lecture rapide.
Comment appelle-t-on, lors d'une lecture SRAM, l'opération …Ligne de bit Précharge Ligne de mot (word line) Rafraîchissement (refresh) Banc (bank) Cellule 1T1C DDR SDRAM DIMM ECC (code correcteur d'erreurs) Latence CAS