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DRAM

Dans les transistors de cellule DRAM récents, quel est le principal objectif de la structure qui enterre l'électrode de grille dans une tranchée du substrat silicium (ligne de mot enterrée) ?

  1. AFaire émettre de la lumière à la cellule
  2. BAllonger la longueur de canal effective pour limiter les fuites tout en réduisant la cellule
  3. CSupprimer le condensateur
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Réponse : B. Allonger la longueur de canal effective pour limiter les fuites tout en réduisant la cellule

Le transistor de cellule DRAM doit présenter une fuite extrêmement faible (de l'ordre du fA) pour conserver la charge du condensateur au moins 64 ms. Enterrer la grille dans une tranchée allonge le canal le long de la tranchée malgré une faible dimension en plan, ce qui limite les fuites dues aux effets de canal court. La ligne de mot enterrée (BCAT) s'est imposée vers 2010 ; elle a aussi l'avantage de réduire la capacité entre la ligne de mot et les interconnexions supérieures.

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