Français
Menu

Qu'est-ce que Thyristor ?

Interrupteur à semi-conducteur à quatre couches alternées de type p et n (pnpn). Il se met à conduire lorsqu'un courant est injecté dans sa gâchette alors qu'il est polarisé en direct, puis continue de conduire même après la suppression du signal de gâchette, jusqu'à ce que le courant passe sous le courant de maintien. Il sert à la commande de phase en alternatif et à la conversion d'énergie à haute tension et fort courant, et les thyristors GTO (gate turn-off) peuvent aussi être bloqués par la gâchette. Le latch-up des circuits CMOS est l'amorçage d'une structure de thyristor parasite formée à l'intérieur du circuit.

Nom japonais: サイリスタ

« Thyristor » apparaît dans 12 questions d'entraînement réparties sur 8 thèmes, dont Circuits d'électronique de puissance, Semi-conducteurs de puissance, Fiabilité.

Domaine: Circuits d'électronique de puissance

S'entraîner : questions sur Thyristor

Quelle caractéristique du thyristor est correcte ?

  1. AUne fois amorcé par le signal de grille, il reste passant jusqu'à ce que le courant tombe presque à zéro
  2. BIl peut être bloqué librement à tout moment par le signal de grille
  3. CC'est un composant à deux bornes
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Une fois amorcé par le signal de grille, il reste passant jusqu'à ce que le courant tombe presque à zéro

Le thyristor est un interrupteur à quatre couches PNPN : un signal sur la grille amorce une réaction positive mutuelle entre les transistors PNP et NPN qui le rend passant, et il reste passant même sans signal de grille (auto-maintien). Pour le bloquer, il faut ramener le courant sous le courant de maintien ; en alternatif, il se bloque naturellement au passage du courant par zéro. Capable de traiter plusieurs kV et plusieurs kA, il sert au transport d'électricité en courant continu et au redressement de forte puissance. Il existe aussi le GTO, blocable par la grille.

Dans une commande de phase avec une source alternative et des thyristors, quelle description de l'évolution de la tension de sortie moyenne quand on augmente l'angle d'amorçage (angle de commande) α est correcte ?

  1. ALa tension de sortie moyenne reste constante, quel que soit l'angle d'amorçage
  2. BPlus l'angle d'amorçage est grand, plus la tension de sortie moyenne est élevée
  3. CPlus l'angle d'amorçage est grand, plus la tension de sortie moyenne est faible
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Plus l'angle d'amorçage est grand, plus la tension de sortie moyenne est faible

Un thyristor commence à conduire lorsqu'on applique un signal sur sa gâchette alors qu'il est polarisé en direct. La commande de phase règle la partie de chaque alternance pendant laquelle le courant circule en modifiant l'angle α entre le passage par zéro de la tension du réseau et l'instant de l'amorçage. Augmenter α raccourcit l'intervalle de conduction et abaisse la tension de sortie moyenne. Cette méthode est utilisée depuis longtemps dans les gradateurs de lampes et pour la variation de vitesse des moteurs à courant continu.

« Thyristor » dans les explications

Questions mentionnant « Thyristor » (12)

  1. Quelle caractéristique du thyristor est correcte ?
  2. Dans une commande de phase avec une source alternative et des thyristors, quelle description de l'évolution de la tension de sortie moyenne quand on augmente l'angle d'amorçage (angle de commande) α est correcte ?
  3. Une source monophasée de 200 V efficaces alimente une charge résistive par un redresseur double alternance monophasé à thyristors, en commande de phase. Quelle valeur est la plus proche de la tension de sortie moyenne pour un angle d'amorçage de 60° ?
  4. Dans un gradateur à thyristors relié à une source alternative, quelle explication de la raison pour laquelle le thyristor se bloque sans aucune action de blocage par la gâchette est correcte ?
  5. Quel est le rôle principal correct des semi-conducteurs de puissance ?
  6. Pourquoi exige-t-on que l'essai de latch-up des CI automobiles soit réalisé à la température maximale de fonctionnement du produit, plus sévère que la température ambiante ?
  7. Quelle méthode irradie du silicium FZ par des neutrons pour transformer une partie du silicium en phosphore et obtenir un type n uniforme ?
  8. Quel est l'avantage d'une plaquette dans laquelle une couche épitaxiale de type p faiblement dopée est déposée sur un substrat p+ (plaquette épitaxiée p/p+) ?
  9. Dans la formation des caissons CMOS, comment appelle-t-on un caisson dont la concentration d'impuretés est plus élevée en profondeur qu'en surface, obtenu par implantation ionique à haute énergie ?
  10. Quelle description du latch-up des circuits CMOS est correcte ?
  11. Quel phénomène dégrade les caractéristiques d'un transistor lorsque des porteurs accélérés par le champ intense près du drain sont injectés dans l'isolant de grille ?
  12. Dans quelle catégorie classe-t-on les produits semi-conducteurs qui assurent seuls une fonction unique, comme les diodes, les transistors individuels ou les MOSFET de puissance ?

Termes associés

Latch-up IGBT CMOS Semi-conducteur de puissance (composant de puissance) Circuit redresseur Gain en courant (hFE) AEC-Q100 ESD (décharge électrostatique) Précipités d'oxygène (BMD) Getter (gettering)

Retour au glossaire