Quel phénomène dégrade les caractéristiques d'un transistor lorsque des porteurs accélérés par le champ intense près du drain sont injectés dans l'isolant de grille ?

Réponse : B. Injection de porteurs chauds (HCI)

Les porteurs circulant dans le canal, accélérés par le champ intense près du drain, deviennent des porteurs chauds de haute énergie ; une partie est injectée dans l'isolant de grille ou crée des états d'interface. La tension de seuil et le courant de commande varient en conséquence. On l'atténue par la structure LDD, qui abaisse le dopage en bordure de drain pour adoucir le champ, ou en réduisant la tension d'alimentation. La NBTI est une dégradation qui survient même sans courant, et le latch-up est la conduction d'un thyristor parasite.