SRAM et mémoire flash

Quelle caractéristique de la mémoire flash NAND, comparée à la NOR, est correcte ?

  1. AL'accès aléatoire est rapide, ce qui convient à l'exécution directe de code
  2. BLes cellules étant connectées en série, la densité d'intégration est facile à augmenter, ce qui convient au stockage de grande capacité
  3. CC'est une mémoire volatile qui perd ses données à la coupure de l'alimentation
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Les cellules étant connectées en série, la densité d'intégration est facile à augmenter, ce qui convient au stockage de grande capacité

La NAND connecte en série plusieurs dizaines de cellules et supprime le contact de chaque cellule : la surface par bit est faible, ce qui favorise les grandes capacités ; elle est utilisée dans les SSD et les cartes mémoire. En contrepartie, la lecture traverse les cellules en série et est lente, et l'accès se fait par page. Dans la NOR, chaque cellule est connectée en parallèle à la ligne de bit : la lecture aléatoire est rapide et convient à l'exécution directe de code. Les deux sont non volatiles.

Agencement des cellules d'une mémoire flash NAND (chaîne) Sélection WL0 WL1 WL2 WL3 Sélection Vers la ligne de bit Vers la ligne de source Cellules mémoire connectées en série NAND : moins de contacts, forte densité d'intégration. Lecture par page NOR : cellules connectées en parallèle, lisibles individuellement, mais surface plus grande
Agencement des cellules d'une mémoire flash NAND (chaîne) · Voir dans les schémas
S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur SRAM et mémoire flash

  1. Comment appelle-t-on, en mémoire flash, le mode qui stocke 3 bits d'information par cellule ?
  2. Quel principe d'écriture et d'effacement des données de la mémoire flash est correct ?
  3. Quelle description de la mémoire flash NAND 3D est correcte ?
  4. Quelle est la principale raison pour laquelle le nombre de réécritures d'une mémoire flash est limité ?
  5. Quel est l'objectif correct de la répartition de l'usure (wear leveling) utilisée notamment dans les SSD ?

Comparatifs sur ce thème