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SRAM et mémoire flash

Quel mode d'injection d'électrons est principalement utilisé pour l'écriture (programmation) de la mémoire flash NAND ?

  1. ALe courant tunnel FN (Fowler-Nordheim)
  2. BL'excitation des électrons par la lumière
  3. CLe déplacement des électrons par un champ magnétique
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Réponse : A. Le courant tunnel FN (Fowler-Nordheim)

En NAND, on applique une haute tension d'environ 20 V sur la grille de commande et l'on injecte des électrons du canal vers la couche de stockage de charges à travers un mince oxyde tunnel. Ce courant tunnel quantique est le courant tunnel FN. Le courant par cellule étant très faible, plusieurs dizaines de milliers de cellules d'une page peuvent être écrites simultanément. En NOR, on utilise aussi souvent l'injection d'électrons chauds de canal, qui injecte des électrons accélérés par une tension de drain : plus rapide, elle consomme davantage de courant.

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