Courant d'électrons qui traversent par effet tunnel la barrière triangulaire d'un isolant mince sous fort champ électrique. Utilisé pour l'écriture et l'effacement des flash NAND.
Nom japonais: FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム)
« Courant tunnel FN (Fowler-Nordheim) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont SRAM et mémoire flash.
Domaine: SRAM et mémoire flash
Réponse : A. Le courant tunnel FN (Fowler-Nordheim)
En NAND, on applique une haute tension d'environ 20 V sur la grille de commande et l'on injecte des électrons du canal vers la couche de stockage de charges à travers un mince oxyde tunnel. Ce courant tunnel quantique est le courant tunnel FN. Le courant par cellule étant très faible, plusieurs dizaines de milliers de cellules d'une page peuvent être écrites simultanément. En NOR, on utilise aussi souvent l'injection d'électrons chauds de canal, qui injecte des électrons accélérés par une tension de drain : plus rapide, elle consomme davantage de courant.
Ce courant tunnel quantique est le courant tunnel FN.
Quel mode d'injection d'électrons est principalement utilis…Mémoire flash NAND 3D NAND Amplification d'écriture (write amplification) Cellule à piégeage de charge Cellule SRAM 6T Grille flottante Mémoire flash NOR Mémoire non volatile NVMe Perturbation en lecture (read disturb)