SRAM et mémoire flash
Quelle description de la mémoire flash NAND 3D est correcte ?
- AUne mémoire dont la capacité est augmentée en empilant verticalement un grand nombre de cellules
- BUne mémoire fonctionnant avec trois tensions d'alimentation
- CUne mémoire stockant 3 bits par cellule
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Réponse : A. Une mémoire dont la capacité est augmentée en empilant verticalement un grand nombre de cellules
La miniaturisation planaire approchant ses limites vers 15 nm, la NAND 3D, qui empile les cellules verticalement, est produite en série depuis 2013 environ et domine désormais. Dans un empilement épais de couches conductrices et isolantes alternées, on perce en une fois des trous cylindriques profonds (trous de canal) et l'on forme les cellules sur leurs parois. On augmente ainsi la capacité sans réduire à l'excès les cellules, tout en diminuant les interférences. 3 bits par cellule correspond à la TLC, utilisée en combinaison avec la NAND 3D.