Quelle est la relation générale entre l’épaisseur de l’oxyde de champ utilisé pour l’isolation des composants, comme en LOCOS, et celle de l’oxyde de grille des MOSFET ?

Réponse : C. L’oxyde de champ est beaucoup plus épais

L’oxyde de champ est réalisé épais, de l’ordre de quelques centaines de nm, pour éviter qu’un transistor parasite ne devienne passant entre les interconnexions qui le surmontent et le silicium. Plus il est épais, plus la tension de seuil du transistor parasite est élevée. À l’inverse, l’oxyde de grille est très mince, de quelques nm, pour transmettre fortement le champ de la grille au canal ; l’écart dépasse un facteur 100. Une même puce peut aussi employer des oxydes de grille plus épais pour les entrées/sorties.