Oxydation et diffusion

Quel est un usage typique de l’oxyde thermique du silicium ?

  1. AConducteur d’interconnexion
  2. BIsolant de grille, isolation entre composants et masque délimitant les zones de dopage
  3. CCouche émettrice de lumière
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Isolant de grille, isolation entre composants et masque délimitant les zones de dopage

Le SiO2 formé par oxydation thermique, très isolant et doté d’une interface de bonne qualité avec le silicium, a servi d’isolant de grille des MOSFET, d’isolation électrique entre composants (LOCOS, liner du STI), de masque d’implantation ionique ou de diffusion et de protection de surface pendant l’implantation. Dans les grilles avancées, il a été remplacé par des films high-k, mais une couche d’interface de SiO2 extrêmement mince est toujours utilisée sous ceux-ci.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Oxydation et diffusion

  1. Quelle est l’unité du coefficient de diffusion D ?
  2. Quel est le contenu de la première loi de Fick ? (J : flux de diffusion, D : coefficient de diffusion, C : concentration, x : position)
  3. Pour une diffusion de dopants à température constante, si l’on multiplie par 4 la durée de diffusion, par combien la distance de diffusion approximative est-elle multipliée ?
  4. En diffusion thermique, quelle combinaison de formes de profil est correcte pour la diffusion à concentration de surface constante et pour la diffusion d’une quantité fixe de dopants (source finie) ?
  5. Quel composé a été utilisé comme source de diffusion liquide pour introduire du phosphore dans le silicium par diffusion thermique ?

Comparatifs sur ce thème