Quelle méthode est principalement utilisée pour l’isolation des composants dans les LSI fins ?

Réponse : C. STI (isolation par tranchées peu profondes)

Les LSI fins actuels utilisent principalement le STI : on creuse dans le silicium des tranchées peu profondes d’environ 200 à 300 nm, on les remplit d’oxyde CVD et l’on planarise par CMP. Le LOCOS, autrefois dominant, ne permettait pas de réduire la largeur d’isolation à cause du bec d’oiseau, l’empiètement latéral de l’oxyde, et laissait des marches en surface ; il a été remplacé par le STI vers le nœud 0.25 µm. Le STI est plan, permet des largeurs étroites et sert aussi à isoler les ailettes des FinFET.