Dans la photodiode enterrée (pinned photodiode) d'un capteur d'image CMOS, quel est l'objectif principal de la couche p+ fortement dopée en surface ?

Réponse : C. Limiter le courant d'obscurité dû aux états d'interface de surface

L'interface silicium-oxyde comporte de nombreux états d'interface, source importante de courant d'obscurité. En enterrant la couche n de la photodiode à distance de la surface et en recouvrant celle-ci d'une couche p+ fortement dopée, les états d'interface sont remplis de trous, la génération d'électrons est freinée et le courant d'obscurité fortement réduit. De plus, la couche n étant totalement déplétée, toute la charge peut être transférée (transfert complet), ce qui réduit aussi la rémanence et le bruit de réinitialisation. Presque tous les pixels actuels adoptent cette structure.