Photodiode dont la zone photosensible est éloignée de la surface par une couche p+ fortement dopée. Elle limite le courant d'obscurité dû aux états d'interface et permet un transfert complet des charges. Standard des capteurs d'image CMOS actuels.
Nom japonais: 埋め込みフォトダイオード(ピンドフォトダイオード)
« Photodiode enterrée (pinned photodiode) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Capteurs d'images et composants optiques.
Réponse : C. Limiter le courant d'obscurité dû aux états d'interface de surface
L'interface silicium-oxyde comporte de nombreux états d'interface, source importante de courant d'obscurité. En enterrant la couche n de la photodiode à distance de la surface et en recouvrant celle-ci d'une couche p+ fortement dopée, les états d'interface sont remplis de trous, la génération d'électrons est freinée et le courant d'obscurité fortement réduit. De plus, la couche n étant totalement déplétée, toute la charge peut être transférée (transfert complet), ce qui réduit aussi la rémanence et le bruit de réinitialisation. Presque tous les pixels actuels adoptent cette structure.
Combiné au transfert complet de la photodiode enterrée, il ramène le bruit de lecture à quelques électrons ou moins.
Quel est l'objectif du double échantillonnage corrélé (CDS)…Le transistor de transfert déplace la charge de la photodiode enterrée vers la diffusion flottante (FD), dont la tension est restituée par le transistor d'amplification.
Dans un pixel typique à quatre transistors d'un capteur d'i…Photodiode Capteur d'image CMOS Double échantillonnage corrélé (CDS) États d'interface Courant d'obscurité CMOS Bruit à motif fixe Bruit de grenaille (shot noise) Capacité de puits (full well capacity) Capteur d'image CCD