실리콘 웨이퍼
웨이퍼 표면의 금속 오염을 고감도로 분석하기 위해 불산 증기로 표면의 산화막을 녹이고, 액적으로 회수하여 분석 장치에 넣는 전처리 방법은 무엇인가?
- A4탐침법
- BSEM 관찰
- CVPD(기상 분해)법
정답과 해설 보기
정답: C. VPD(기상 분해)법
VPD법에서는 불산 증기로 웨이퍼 표면의 자연 산화막을 분해하고, 그 위를 소량의 액적으로 주사하여 표면의 금속 불순물을 모아 회수합니다. 회수한 액을 ICP-MS나 전반사 형광 X선(TXRF)으로 분석하면 웨이퍼 전면의 금속 오염을 10⁸~10⁹ atoms/cm² 정도의 감도로 측정할 수 있습니다. 장치나 약액의 오염 감시, 세정 공정의 평가에 빠뜨릴 수 없는 수법입니다.
- A. 4탐침법은 저항률을 측정하는 방법입니다.
- B. SEM 관찰은 표면 형상을 보는 방법으로 미량 금속의 정량에는 적합하지 않습니다.
- C. 옳습니다. 표면의 오염을 액적에 모아 분석합니다.