Quel est l'effet de l'oxygène interstitiel du silicium CZ sur la résistance mécanique du wafer, par rapport au silicium FZ ?

Réponse : C. L'oxygène ancre les dislocations et les immobilise, ce qui rend le wafer plus résistant au glissement pendant les traitements thermiques

L'oxygène interstitiel se rassemble autour des dislocations et les ancre, les rendant difficiles à déplacer. Les wafers CZ contenant de l'oxygène tendent donc à mieux résister au glissement et à la déformation pendant les traitements thermiques que les wafers FZ pauvres en oxygène. C'est une propriété importante pour les LSI, qui subissent de nombreuses étapes à haute température, et l'une des raisons de l'utilisation des wafers CZ pour les LSI de grand diamètre. En revanche, une précipitation excessive de l'oxygène peut au contraire favoriser la déformation du wafer.