Quelle est la raison principale de l'exigence d'une grande planéité des wafers de silicium ?

Réponse : B. Lors de l'exposition, l'ensemble du motif doit tenir dans la profondeur de champ

Plus les motifs exposés sont fins, plus la profondeur de champ est faible : en lithographie de pointe, elle n'est que d'environ 100 nm. La moindre irrégularité de la surface du wafer décale la mise au point et rend le motif flou. La planéité locale (SFQR) de chaque zone exposée (par exemple un champ de 26×33 mm) est donc maîtrisée à quelques dizaines de nm ou moins. L'équipement d'exposition mesure aussi la hauteur à chaque champ pour faire la mise au point, mais la planéité propre du wafer en est la condition préalable.