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Plaquettes de silicium

Quelle est la méthode représentative de fabrication du silicium polycristallin de haute pureté ?

  1. AProcédé Bosch
  2. BProcédé Siemens (dépôt par réduction du trichlorosilane par l'hydrogène)
  3. CProcédé damascène
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Réponse : B. Procédé Siemens (dépôt par réduction du trichlorosilane par l'hydrogène)

Dans le procédé Siemens, du silicium métallurgique d'une pureté d'environ 98 % est mis à réagir avec du chlorure d'hydrogène pour former du trichlorosilane (SiHCl3, point d'ébullition d'environ 32 ℃), purifié par distillation, puis mis à réagir avec de l'hydrogène sur des barreaux de silicium chauffés à environ 1100 ℃ pour y déposer du silicium de haute pureté. On obtient ainsi du silicium polycristallin de pureté 11N (99.999999999 %), matière première de la méthode CZ, etc. C'est un procédé très consommateur d'électricité.

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