Dans la méthode CZ, quel est l'objectif principal du contrôle du rapport (V/G) entre la vitesse de tirage et le gradient de température dans le cristal ?

Réponse : A. Contrôler le type et la quantité de défauts ponctuels (lacunes ou silicium interstitiel) incorporés dans le cristal afin de réduire les défauts cristallins

Le rapport entre la vitesse de tirage V et le gradient de température G près de l'interface détermine si les défauts ponctuels incorporés en excès dans le cristal sont des lacunes ou du silicium interstitiel. Avec un V/G élevé, les lacunes en excès s'agglomèrent en microcavités (COP) ; avec un V/G faible, le silicium interstitiel en excès forme des boucles de dislocation. Un tirage dans l'étroite fenêtre où les deux s'équilibrent donne un cristal quasiment exempt de ces deux types de défauts (cristal parfait, silicium parfait).