Siliziumwafer

Welcher Zusammenhang zwischen dem spezifischen Widerstand eines Siliziumwafers und der Konzentration zugesetzter Verunreinigungen ist richtig?

  1. AJe höher die Dotierstoffkonzentration, desto höher der spezifische Widerstand
  2. BDotierstoffkonzentration und spezifischer Widerstand stehen in keinem Zusammenhang
  3. CJe höher die Dotierstoffkonzentration, desto niedriger der spezifische Widerstand
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Antwort: C. Je höher die Dotierstoffkonzentration, desto niedriger der spezifische Widerstand

Wird viel Dotierstoff zugesetzt, nehmen die Ladungsträger zu und der spezifische Widerstand sinkt; wegen dieses Zusammenhangs wird der spezifische Widerstand von Wafern als Richtwert für die Dotierstoffkonzentration in der Spezifikation angegeben. Bei p-Typ mit 1 bis 10 Ω·cm liegt Bor z. B. im Bereich 10¹⁵ cm⁻³, bei 0.01 Ω·cm bei etwa 10¹⁹ cm⁻³. Bei hoher Konzentration sinkt die Beweglichkeit durch Streuung an ionisierten Störstellen, sodass keine einfache umgekehrte Proportionalität besteht, und es wird mit Umrechnungstabellen wie ASTM umgerechnet.

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