SRAM et mémoire flash

En NAND 3D, quel est le principal avantage de la structure qui place les circuits périphériques, comme les amplificateurs de lecture, sous la matrice de cellules (CMOS under Array, etc.) ?

  1. AL'effacement devient inutile
  2. BLa surface de la puce diminue, ce qui augmente la capacité obtenue par plaquette
  3. CLe nombre de couches peut être réduit
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Réponse : B. La surface de la puce diminue, ce qui augmente la capacité obtenue par plaquette

Autrefois, les circuits périphériques étaient disposés à côté de la matrice de cellules ; les placer juste sous la matrice réduit la surface de la puce d'environ 20 à 30 %, augmente la densité binaire et abaisse le coût (CMOS under Array, Periphery under Cell, etc.). Les circuits périphériques étant fabriqués en premier, il faut tenir compte des étapes thermiques ultérieures de formation de la matrice. Des méthodes fabriquant les circuits périphériques et la matrice sur des plaquettes distinctes puis les collant (CBA, etc.) sont aussi entrées en production.

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