Français
Menu

SRAM et mémoire flash

En NAND 3D, comment appelle-t-on la structure dont l'extrémité est usinée en marches pour connecter les interconnexions aux lignes de mot de chaque couche empilée ?

  1. AStructure en escalier (staircase)
  2. BStructure damascène
  3. CStructure en tranchée
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Structure en escalier (staircase)

En NAND 3D, les couches conductrices formant les lignes de mot s'empilent par centaines ; on usine donc le bord de la matrice en escalier pour exposer la face supérieure de chaque couche et y implanter des contacts. L'escalier étant réalisé en répétant des gravures tout en amincissant progressivement la résine, plus le nombre de couches augmente, plus le procédé s'allonge et plus la surface de l'escalier croît. On limite donc la surface en divisant l'escalier en plusieurs rangées ou en créant aussi des marches dans une autre direction.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur SRAM et mémoire flash

  1. En NAND 3D, quel est le principal avantage de la structure qui place les circuits périphériques, comme les amplificateurs de lecture, sous la matrice de cellules (CMOS under Array, etc.) ?
  2. Quelle structure d'une cellule SRAM classique à 6 transistors est correcte ?
  3. Quelle caractéristique de la mémoire flash NAND, comparée à la NOR, est correcte ?
  4. Comment appelle-t-on, en mémoire flash, le mode qui stocke 3 bits d'information par cellule ?
  5. Quel principe d'écriture et d'effacement des données de la mémoire flash est correct ?

Comparatifs sur ce thème