Quel avantage de la cellule SRAM 8T, qui ajoute à la 6T des transistors dédiés à la lecture, est correct ?

Réponse : C. Les données de la cellule sont moins perturbées en lecture, ce qui facilite un fonctionnement stable même à basse tension

Dans une cellule 6T, la charge de la ligne de bit fait monter le nœud de stockage en lecture, au risque d'inverser la donnée. La cellule 8T sépare un chemin de lecture dédié de deux transistors, le nœud de stockage n'étant relié qu'à leur grille : la lecture ne le perturbe pas. L'optimisation des transistors de lecture et d'écriture pouvant être séparée, la cellule est stable même à basse tension, et les ports de lecture et d'écriture peuvent être utilisés simultanément. En contrepartie, la surface augmente.