SRAM und Flash-Speicher

Welcher Vorteil einer 8T-SRAM-Zelle, die eine 6T-SRAM um Transistoren nur für das Lesen erweitert, ist richtig?

  1. ADie Zellfläche wird kleiner als bei 6T
  2. BDie Daten bleiben auch nach dem Abschalten erhalten
  3. CDie Daten der Zelle werden beim Lesen kaum gestört, und der Betrieb ist auch bei niedriger Spannung leicht stabil
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Antwort: C. Die Daten der Zelle werden beim Lesen kaum gestört, und der Betrieb ist auch bei niedriger Spannung leicht stabil

Bei der 6T-Zelle kann beim Lesen die Ladung der Bitleitung den Speicherknoten anheben und die Daten umkippen. Die 8T-Zelle trennt mit zwei Transistoren einen reinen Leseweg ab; der Speicherknoten ist nur mit deren Gate verbunden und wird beim Lesen nicht gestört. Da Lese- und Schreibtransistoren getrennt optimiert werden können, ist sie auch bei niedriger Spannung stabil, und Lese- und Schreibport lassen sich gleichzeitig nutzen. Dafür wird die Fläche größer.

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