SRAM et mémoire flash
Pour écrire dans une cellule SRAM, on tire une des lignes de bit à 0 V pour inverser l'état de la cellule. Quelle condition est exigée des transistors d'accès ?
- AAvoir un courant de commande nettement supérieur à celui des transistors de pull-up (pMOS) de la cellule
- BAvoir un courant de commande inférieur à celui de tous les transistors de la cellule
- CRester toujours bloqués
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Réponse : A. Avoir un courant de commande nettement supérieur à celui des transistors de pull-up (pMOS) de la cellule
À l'écriture, il faut tirer le nœud de stockage à 0 à travers le transistor d'accès et l'emporter sur le pMOS de pull-up qui tente de maintenir le 1 : le transistor d'accès est donc conçu nettement plus fort que le pMOS (rapport de pull-up). En revanche, pour la stabilité en lecture, il doit être plus faible que le nMOS de pull-down (rapport de cellule) : l'équilibre des courants de commande de ces trois transistors est au cœur de la conception SRAM.