Quelle méthode d'écriture en flash NAND répète des impulsions d'écriture de tension progressivement croissante en vérifiant chaque fois la tension de seuil ?

Réponse : B. ISPP (programmation par impulsions à pas incrémental)

En ISPP, on applique des impulsions d'écriture en partant par exemple d'environ 15 V et en augmentant la tension par pas de quelques centaines de mV, en vérifiant à chaque fois la tension de seuil (vérification). Pour les cellules ayant atteint la cible, on élève le potentiel de la ligne de bit pour arrêter l'écriture : même avec des cellules dispersées, la distribution de tension de seuil reste étroite. Plus le pas est faible, plus la distribution est étroite mais plus l'écriture est longue, d'où un compromis entre multiniveau et vitesse.