SRAM et mémoire flash
Quel est le rôle correct des transistors de sélection placés aux deux extrémités des cellules connectées en série d'une flash NAND ?
- AAmplifier le signal des cellules
- BConnecter ou déconnecter de la ligne de bit et de la ligne de source la chaîne (série de cellules) à lire ou écrire
- CEffacer les données
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Réponse : B. Connecter ou déconnecter de la ligne de bit et de la ligne de source la chaîne (série de cellules) à lire ou écrire
En NAND, des transistors de sélection placés aux deux extrémités d'une chaîne de quelques dizaines à quelques centaines de cellules en série ne connectent, côté ligne de bit (SSL/côté drain) et côté ligne de source (GSL), que la chaîne à accéder. À l'écriture, on déconnecte les chaînes non sélectionnées pour laisser flotter leur canal, dont le potentiel monte automatiquement par couplage capacitif avec les grilles (auto-amplification, self-boosting), ce qui empêche une écriture intempestive.