SRAM과 플래시 메모리
6T SRAM에 읽기 전용 트랜지스터를 추가한 8T SRAM 셀의 장점으로 올바른 것은?
- A셀 면적이 6T보다 작아진다
- B전원을 꺼도 데이터가 남는다
- C읽기 시 셀의 데이터가 흐트러지기 어렵고, 저전압에서도 안정적으로 동작하기 쉽다
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정답: C. 읽기 시 셀의 데이터가 흐트러지기 어렵고, 저전압에서도 안정적으로 동작하기 쉽다
6T 셀에서는 읽기 시 비트선의 전하가 기억 노드를 밀어 올려 데이터가 반전될 우려가 있습니다. 8T 셀은 2개의 트랜지스터로 읽기 전용 경로를 분리하고 기억 노드는 그 게이트에만 연결되므로, 읽기로 인해 흐트러지지 않습니다. 읽기용과 쓰기용 트랜지스터의 최적화를 따로 할 수 있어 저전압에서도 안정적이며, 읽기 포트와 쓰기 포트를 동시에 사용할 수 있다는 장점도 있습니다. 대신 면적은 커집니다.