SRAM et mémoire flash
Quel problème survient fréquemment lorsqu'on abaisse la tension d'alimentation d'une SRAM ?
- ALes marges de stabilité en lecture et écriture (marges de bruit) diminuent et les dysfonctionnements deviennent plus probables
- BL'accès devient trop rapide
- CLa capacité de stockage augmente
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Réponse : A. Les marges de stabilité en lecture et écriture (marges de bruit) diminuent et les dysfonctionnements deviennent plus probables
Une cellule SRAM fonctionne grâce à la stabilité du verrou et à l'équilibre des courants de commande avec les transistors d'accès. Abaisser la tension d'alimentation réduit la marge de bruit et accroît l'effet relatif de la dispersion des transistors : les inversions de données en lecture et les échecs d'écriture deviennent plus probables. La tension minimale de fonctionnement de la SRAM (Vmin) fixe donc souvent la limite basse de la tension d'alimentation de toute la puce et constitue un obstacle à la réduction de tension.