Wat is het juiste voordeel van de 8T-SRAM-cel, waarbij aan de 6T-SRAM transistors alleen voor lezen zijn toegevoegd?

Antwoord: C. De gegevens van de cel worden bij het lezen minder gemakkelijk verstoord en de cel werkt ook bij lage spanning gemakkelijk stabiel

Bij een 6T-cel kan bij het lezen de lading van de bitlijn het opslagknooppunt omhoogduwen, waardoor de gegevens kunnen omslaan. Een 8T-cel scheidt met twee transistors een pad voor alleen lezen af, en het opslagknooppunt is slechts met de gate daarvan verbonden, zodat het bij het lezen niet wordt verstoord. Omdat de optimalisatie van lees- en schrijftransistors kan worden gescheiden, is het ook bij lage spanning stabiel, en het heeft het voordeel dat leespoort en schrijfpoort tegelijk kunnen worden gebruikt. In ruil daarvoor is de oppervlakte groter.