SRAM과 플래시 메모리

NAND형 플래시 메모리의 쓰기(프로그램)에서 주로 사용되는 전자 주입 방식은?

  1. AFN(파울러-노르트하임) 터널 전류
  2. B빛에 의한 전자 여기
  3. C자기장에 의한 전자 이동
정답과 해설 보기

정답: A. FN(파울러-노르트하임) 터널 전류

NAND에서는 제어 게이트에 약 20 V의 고전압을 걸어, 얇은 터널 산화막을 통해 채널에서 전하 축적층으로 전자를 주입합니다. 이 양자역학적인 터널 전류가 FN 터널 전류입니다. 셀 하나당 전류가 매우 작기 때문에 한 페이지 수만 셀을 동시에 쓸 수 있습니다. NOR형에서는 드레인에 전압을 걸어 가속한 전자를 주입하는 채널 핫 일렉트론 주입도 자주 사용되며, 빠른 대신 전류가 커집니다.

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