SRAM und Flash-Speicher

Welches Verfahren der Elektroneninjektion wird beim Schreiben (Programmieren) von NAND-Flash hauptsächlich verwendet?

  1. AFN-Tunnelstrom (Fowler-Nordheim)
  2. BAnregung von Elektronen durch Licht
  3. CBewegung von Elektronen durch ein Magnetfeld
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Antwort: A. FN-Tunnelstrom (Fowler-Nordheim)

Bei NAND wird an das Steuergate eine hohe Spannung von etwa 20 V gelegt, und Elektronen werden aus dem Kanal durch das dünne Tunneloxid in die Ladungsspeicherschicht injiziert. Dieser quantenmechanische Tunnelstrom ist der FN-Tunnelstrom. Da der Strom pro Zelle sehr klein ist, lassen sich einige zehntausend Zellen einer Seite gleichzeitig beschreiben. Beim NOR-Typ wird häufig auch die Injektion heißer Kanalelektronen verwendet, bei der Elektronen durch eine Spannung am Drain beschleunigt werden; sie ist schnell, benötigt aber einen größeren Strom.

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