SRAM et mémoire flash

Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, en flash NAND, des lectures répétées d'un même bloc modifient progressivement la tension de seuil des cellules non lues ?

  1. ARépartition de l'usure
  2. BPerturbation de lecture (read disturb)
  3. CRamasse-miettes
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Réponse : B. Perturbation de lecture (read disturb)

En lecture NAND, une tension de passage de quelques volts est appliquée aussi aux cellules non sélectionnées pour les rendre conductrices ; au fil des lectures, une faible quantité d'électrons y est injectée et leur tension de seuil augmente. C'est la perturbation de lecture, qui pose problème après quelques dizaines à quelques centaines de milliers de lectures. Elle survient surtout dans les blocs regroupant des données très lues ; le contrôleur compte les lectures et, à l'approche de la limite, réécrit les données dans un autre bloc.

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