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SRAM et mémoire flash

Quelle est la principale raison pour laquelle le nombre de réécritures d'une mémoire flash est limité ?

  1. AParce que la répétition des réécritures dégrade l'oxyde tunnel traversé par les électrons
  2. BParce que la capacité du condensateur augmente
  3. CParce que les interconnexions s'allongent
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Réponse : A. Parce que la répétition des réécritures dégrade l'oxyde tunnel traversé par les électrons

En flash, à chaque écriture ou effacement, les électrons traversent l'oxyde tunnel sous un champ élevé d'environ 10 MV/cm, et une partie est piégée dans le film ou y crée des défauts. Avec la répétition, la fenêtre de tension de seuil se rétrécit et les électrons fuient plus facilement pendant la rétention (SILC). Le nombre de réécritures est donc limité ; les cellules multiniveaux, à faible espacement entre états, y sont plus sensibles : environ 100 000 cycles pour la SLC contre quelques milliers pour la TLC.

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