SRAM und Flash-Speicher
Welche Aussage zu 3D-NAND-Flash-Speichern ist richtig?
- ASpeicherzellen werden in vertikaler Richtung vielfach gestapelt, um die Kapazität zu erhöhen
- BEr arbeitet mit drei verschiedenen Versorgungsspannungen
- CEr speichert 3 Bit pro Zelle
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Antwort: A. Speicherzellen werden in vertikaler Richtung vielfach gestapelt, um die Kapazität zu erhöhen
Als die planare Miniaturisierung bei etwa 15 nm an ihre Grenze kam, wurde das 3D-NAND, bei dem Zellen vertikal gestapelt werden, ab etwa 2013 in Serie gefertigt und setzte sich durch. In einen dicken Schichtstapel aus abwechselnden leitenden und isolierenden Schichten werden tiefe zylindrische Löcher (Channel Holes) in einem Zug geätzt, und an den Lochwänden entstehen die Zellen. Die Kapazität lässt sich erhöhen, ohne die Zellen zwanghaft zu verkleinern, und auch Interferenzen sinken. Drei Bit pro Zelle sind TLC, das mit 3D-NAND kombiniert verwendet wird.