SRAM과 플래시 메모리

3D NAND형 플래시 메모리에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A메모리 셀을 수직 방향으로 다수 적층하여 대용량화한 것
  2. B3종류의 전원 전압으로 동작하는 것
  3. C1셀에 3비트를 기억하는 것
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정답: A. 메모리 셀을 수직 방향으로 다수 적층하여 대용량화한 것

평면에서의 미세화가 15 nm 전후에서 한계에 가까워졌기 때문에, NAND에서는 셀을 세로 방향으로 쌓아 올리는 3D NAND가 2013년경부터 양산되어 주류가 되었습니다. 도전층과 절연층을 번갈아 쌓은 두꺼운 막에 깊은 원통형 구멍(채널 홀)을 일괄적으로 뚫고, 구멍의 벽에 셀을 만듭니다. 셀을 무리하게 줄이지 않고도 용량을 늘릴 수 있고 간섭도 줄일 수 있습니다. 1셀 3비트는 TLC이며, 3D NAND와 조합하여 사용됩니다.

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