Welcher Temperaturbereich kommt dem für die thermische Oxidation von Silizium üblichen am nächsten?

Antwort: B. ca. 800–1200 °C

Die thermische Oxidation von Silizium erfolgt im Allgemeinen bei etwa 800 bis 1200 °C und läuft umso schneller ab, je höher die Temperatur ist. Der Schmelzpunkt von Silizium liegt bei etwa 1414 °C; die Temperatur liegt also ausreichend darunter. Auch bei Raumtemperatur bildet sich auf einer Siliziumoberfläche sofort ein natives Oxid von etwa 1 nm, das darüber hinaus kaum wächst. In fortgeschrittenen Prozessen wird zur Begrenzung des thermischen Budgets zunehmend auch bei niedrigeren Temperaturen oxidiert, z. B. durch Radikaloxidation.