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Oxydation et diffusion

Quelle description de la « diffusion » des dopants en fabrication de semi-conducteurs est correcte ?

  1. AMéthode qui accélère les dopants dans une direction par un champ électrique pour les implanter
  2. BLe fait de dissoudre les dopants dans un liquide et de les rincer
  3. CPhénomène par lequel les atomes de dopant se répandent thermiquement des zones de forte concentration vers celles de faible concentration
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Réponse : C. Phénomène par lequel les atomes de dopant se répandent thermiquement des zones de forte concentration vers celles de faible concentration

La diffusion est le phénomène par lequel, sous l’effet de l’agitation thermique des atomes, les dopants se répandent des régions de forte concentration vers celles de faible concentration ; elle est d’autant plus rapide que la température est élevée. Dans le silicium, les dopants se déplacent en s’échangeant avec des lacunes (sites vacants) ou du silicium interstitiel. On utilisait autrefois ce phénomène pour introduire les dopants depuis la surface ; aujourd’hui, la diffusion survient le plus souvent lors du traitement thermique suivant une implantation ionique, et l’enjeu est de la limiter.

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